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参数资料
| 型号： | FDS3572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 8.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS3572DKR |
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
I AS
t P
BV DSS
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 14. Unclamped Energy Test Circuit
V DS
Figure 15. Unclamped Energy Waveforms
V DD
Q g(TOT)
V GS
L
+
V DD
Q gs2
V DS
V GS
V GS = 10V
-
DUT
I g(REF)
V GS = 2V
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs
Q gd
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Figure 17. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
PULSE WIDTH
50%
V GS
Figure 18. Switching Time Test Circuit
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
Figure 19. Switching Time Waveforms
FDS3572 Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3580 | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC |
| FDS3590 | MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC |
| FDS3672 | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC |
| FDS3692 | MOSFET N-CH 100V 4.5A SO-8 |
| FDS3890 | MOSFET N-CH DUAL 80V 4.7A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS3572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 80V 8.9A SOIC |
| FDS3572_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS3572_Q | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3580 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3580_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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