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参数资料
| 型号： | FDS3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2015pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS3672DKR |
April 2012
FDS3672
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100V, 7.5A, 22m ?
Features
? r DS(ON) = 19m ? (Typ.), V GS = 10V, I D = 7.5A
? Q g (tot) = 28nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
? Low Q RR Body Diode
? Optimized efficiency at high frequencies
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82763
Applications
? DC/DC converters and Off-Line UPS
? Distributed Power Architectures and VRMs
? Primary Switch for 24V and 48V Systems
? High Voltage Synchronous Rectifier
Branding Dash
5
5
6
4
3
1
2
7
2
3
4
8
1
SO-8
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
± 20
Units
V
V
Drain Current
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Continuous (T A = 100 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
7.5
4.8
Figure 4
416
2.5
20
-55 to 150
A
A
A
mJ
W
mW/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 10 seconds (Note 3)
50
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)
85
o
C/W
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)
25
o C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS3672
Device
FDS3672
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3672 Rev. C2
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参数描述 |
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| FDS3672_Q | 功能描述:MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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