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参数资料
| 型号： | FDS3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2015pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS3672DKR |
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
1.2
8
V GS = 10V
1.0
6
0.8
0.6
4
0.4
2
0.2
0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
2
1
0.1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
R θ JA =50 o C/W
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
0.001
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
10
5
V GS = 10V
I = I 25
150 - T C
125
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t , PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3672 Rev. C2
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