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参数资料
| 型号： | FDS4141 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2670pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4141DKR |
November 2007
FDS4141
P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-40V, -10.8A, 13.0m ?
Features
Max r DS(on) = 13.0m ? at V GS = -10V, I D = -10.5A
Max r DS(on) = 19.0m ? at V GS = -4.5V, I D = -8.4A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
RoHS Compliant
General Description
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild
Semiconductor’s proprietary PowerTrench ? technology to
deliver low r DS(on) and optimized BV DSS capability to offer
superior performance benefit in the applications and optimized
switching performance capability reducing power dissipation
losses in converter/inverter applications.
Applications
Control switch in synchronous & non-synchronous buck
Load switch
Inverter
D
D
D
D
D
D
5
6
4
3
G
S
SO-8
S
S
G
D
D
7
8
2
1
S
S
Pin 1
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
I D
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Parameter
Ratings
-40
±20
-10.8
-36
Units
V
V
A
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
294
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
(Note 1b)
5
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
25
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS4141
Device
FDS4141
Package
SO-8
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4141 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS4410 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS4435 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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