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参数资料
| 型号： | FDS4465_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8237pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
June 2012
FDS4465_F085
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged
gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced
PowerTrench process. It has been optimized for power
management applications with a wide range of gate
drive voltage (1.8V – 8V).
Applications
? Power management
? Load switch
? Battery protection
Features
? –13.5 A, –20 V. R DS(ON) = 8.5 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 10.5 m ? @ V GS = –2.5 V
R DS(ON) = 14 m ? @ V GS = –1.8 V
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High current and power handling capability
? Qualified to AEC Q101
? RoHS Compliant
D D
D D
S S S
S S G
SO-8
D D
D D
Pin 1 SO-8
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–13.5
A
– Pulsed
–50
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.2
1
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
50
° C/W
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1c)
(Note 1)
125
25
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Reel Size
Tape width
Quantity
FDS4465
FDS4465_F085
13’’
12mm
2500 units
?20 12 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS 4465_F085 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| FDS4470 | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
| FDS4488 | MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC |
| FDS4501H | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4470 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4470 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:40V/30/20V 9MO NCH SINGLE SO8 1000A |
| FDS4470_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS4470_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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