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参数资料
| 型号： | FDS4465_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8237pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
50
40
30
V GS = -4.5V
-2.5V
-1.8V
-2.0V
-1.5V
3
2.6
2.2
V GS = -1.5V
1.8
20
-1.8V
10
1.4
1
-2.0V
-2.5V
-4.5V
0
0
0.5 1
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1.5
0.6
0
10
20 30
-I D , DRAIN CURRENT (A)
40
50
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
I D = -13.5A
V GS = -10V
0.025
0.02
0.015
I D = -6.3A
T A = 125 o C
1
0.01
0.8
0.005
T A = 25 o C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
1
2
3
4
5
50
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5.0V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
30
1
0.1
T A = 125 o C
25 o C
25 C
20
T A = 125 o C
o
0.01
-55 o C
10
0
-55 o C
0.001
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS 4465_F085 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| FDS4470 | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
| FDS4488 | MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC |
| FDS4501H | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4470 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4470 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:40V/30/20V 9MO NCH SINGLE SO8 1000A |
| FDS4470_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS4470_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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