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参数资料
| 型号： | FDS4465_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8237pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
5
4
I D = -13.5A
V DS = -5V
-15V
-10V
10000
8000
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
3
2
6000
4000
1
2000
C OSS
C RSS
0
0
20
40 60
Q g , GATE CHARGE (nC)
80
100
0
0
5 10 15
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
100
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
100 μ s
50
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
1s
30
1
10s
0.1
0.01
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
DC
20
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
D = 0.5
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
R θ JA = 125 C/W
0.1
0.2
0.1
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
o
0.01
0.05
0.02
0.01
P(pk)
t 1
t 2
0.001
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS 4465_F085 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| FDS4470 | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
| FDS4488 | MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC |
| FDS4501H | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4470 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4470 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:40V/30/20V 9MO NCH SINGLE SO8 1000A |
| FDS4470_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS4470_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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