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参数资料
| 型号： | FDS4141 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2670pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4141DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
36
4.0
27
18
V GS = -3.5V
V GS = -4V
V GS = - 4.5V
V GS = -10V
V GS = -3V
3.5
3.0
2.5
2.0
V GS = -3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -3.5V
V GS = -4V
9
1.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.0
V GS = - 4.5V
V GS = -10V
0
0
1
2
3
0.5
0
9
18
27
36
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
1.6
I D = -10.5A
V GS = -10V
40
I D = -10.5A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
30
1.2
1.0
0.8
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C )
o
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
36
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
27
V DS = -5V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
10
18
T J = 150 o C
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J =
25 o C
0.1
9
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0
1
2
3
4
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4141 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS4435 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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