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参数资料
| 型号： | FDS4435 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1604pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | FDS4435CT |
October 2001
FDS4435
30V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process. It has been optimized for power management
? –8.8 A, –30 V
R DS(ON) = 20 m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 35 m ? @ V GS = –4.5 V
applications requiring a wide range of gave drive
voltage ratings (4.5V – 25V).
Applications
? Power management
? Load switch
? Battery protection
? Low gate charge (17nC typical)
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability
D D
D D
D D
D D
5
6
4
3
7
2
S S S
S S G
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G
8
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–30
± 25
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–8.8
A
– Pulsed
–50
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.2
1
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
R θ J C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
50
125
25
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS4435
Device
FDS4435
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4435 Rev F1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4465_F085 | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| FDS4470 | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
| FDS4488 | MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30VP-CH. FET 20 MO SO8 TR :ROHS COMPL |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS4435_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4435_NL | 功能描述:MOSFET P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4435A | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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