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参数资料
| 型号： | FDS4435 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1604pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | FDS4435CT |
Typical Characteristics
50
2
40
V GS = -10V
-6.0V
-4.5V
V
-4.0V
1.8
V GS =-4.5V
1.6
30
-4.5V
20
-3.5V
1.4
-5.0V
-6.0V
10
0
-3.0V
1.2
1
0.8
-7.0V
-8.0V
-10V
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.07
1.4
I D = -8.8A
V GS = -10V
0.06
I D = -4.4A
0.05
1.2
0.04
1
0.8
0.6
0.03
0.02
0.01
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = -55 C
30
20
V DS = -5V
o
25 o C
125 o C
10
1
0.1
V GS =0V
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.01
10
0.001
0
1.5
2
2.5 3 3.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS4435 Rev F1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30VP-CH. FET 20 MO SO8 TR :ROHS COMPL |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS4435_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4435_NL | 功能描述:MOSFET P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4435A | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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