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参数资料
| 型号： | FDS3992 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 100V 4.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS3992DKR |
April 2013
FDS3992
Dual N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100V, 4.5A, 62m ?
Features
? r DS(ON) = 54m ? (Typ.), V GS = 10V, I D = 4.5A
? Q g (tot) = 11nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
? Low Q RR Body Diode
? Optimized efficiency at high frequencies
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82745
Applications
? DC/DC converters and Off-Line UPS
? Distributed Power Architectures and VRMs
? Primary Switch for 24V and 48V Systems
? High Voltage Synchronous Rectifier
? Direct Injection / Diesel Injection Systems
? 42V Automotive Load Control
? Electronic Valve Train Systems
Branding Dash
1
5
(1)
(2)
(3)
(8)
(7)
(6)
2
3
(4)
(5)
4
SO-8
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
± 20
Units
V
V
Drain Current
I D
E AS
P D
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Continuous (T A = 100 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Total Package Power Dissipation
Derate above 25 o C
4.5
2.8
Figure 4
167
2.5
20
A
A
A
mJ
W
mW/ o C
T J , T STG
Operating and Storage Temperature
-55 to 150
o
C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 10 seconds (Note 3)
50
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)
85
o C/W
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)
25
o
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS3992
Device
FDS3992
Package
SO-8
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3992 Rev. C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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