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参数资料
| 型号： | FDS3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2015pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS3672DKR |
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
300
100
10 μ s
10
8
10
1
OPERATION IN THIS
100 μ s
1ms
6
4
T J = 25 o C
T J = 100 o C
0.1
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
10ms
100ms
2
T J = 125 o C
SINGLE PULSE
0.01
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
1s
1
0.1
1.0 10.0 100
300
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 15V
30
V GS = 10V
V GS = 6V
V GS = 5V
20
T J = 150 o C
20
10
T J = 25 o C
10
V GS = 4.5V
T A = 25 o C
0
T J = -55 o C
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
5.5
0
0.5 1.0 1.5
2.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
24
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 6V
22
20
18
V GS = 10V
1.5
1.0
0.5
V GS = 10V, I D = 7.5A
0
2
4
I D , DRAIN CURRENT (A)
6
8
-80
-40
0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
160
Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
FDS3672 Rev. C2
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