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参数资料
| 型号： | FDS3692 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 746pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS3692DKR |
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
200
7
100
10
1
OPERATION IN THIS
10 μ s
100 μ s
1ms
1
STARTING T J = 150 o C
STARTING T J = 25 o C
0.1
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
10ms
100ms
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
1s
0.1
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
0.1
1
10
100
300
0.01
0.1 1 10
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
30
25
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 15V
30
25
T A = 25 o C
V GS = 10V
20
20
V GS = 7V
T J = 150 C
15
10
T J = 25 o C
o
T J = -55 o C
15
10
V GS = 6V
V GS = 5V
5
0
5
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3.5
4.0
4.5 5.0 5.5 6.0
6.5
0
0.5 1.0 1.5
2.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
70
V GS = 6V
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
65
2.0
60
1.5
55
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
50
V GS = 10V, I D = 4.5A
45
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0 3.5
4.0
4.5
-80
-40
0 40 80 120
160
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
FDS3692 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS3692 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS3692_Q | 功能描述:MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3812 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3890 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3912 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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