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参数资料
| 型号： | FDS4501H |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET |
| 中文描述： | 9300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 1390K |
| 代理商： | FDS4501H |
FDS4501H Rev C(W)
Typical Characteristics: Q2
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= -2.4A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
400
800
1200
1600
2000
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
=-4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
1ms
10ms
0
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4559 | 60V Complementary PowerTrench MOSFET |
| FDS4672A | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4675 | 40V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4685 | 40V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4559 | 功能描述:MOSFET 60V/-60V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS4559_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V Complementary PowerTrench???MOSFET |
| FDS4559_F085 | 功能描述:MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4672A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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