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参数资料
| 型号： | FDS4559 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 60V Complementary PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4.5 A, 60 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, SO-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | FDS4559 |
FDS4559 Rev C1(W)
Typical Characteristics: Q2
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -3.0A
V
DS
= 10V
20V
30V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
10
20
30
40
50
60
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
0
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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