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参数资料
| 型号： | FDS4935A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1233pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4935ADKR |
Typical Characteristics
10
2000
8
I D = -8.8A
V DS = -5V
-10V
1800
1600
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
4
2
0
-15V
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
C ISS
C OSS
C RSS
0
4
8
12
16
20
24
0
5
10
15
20
25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
SINGLE PULSE
10
1ms
10ms
40
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
V GS = -10V
DC
10s
20
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 135 °C/W
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.02
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS4935A Rev A(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
| FDS5672 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935A Series 30 V 23 mOhm Dual 30V P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
| FDS4935BZ | 功能描述:MOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935BZ-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935BZ Series 30 V 22 mOhm Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
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