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参数资料
| 型号： | FDS5351 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS5351DKR |
April 2008
FDS5351
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60V, 6.1A, 35m ?
Features
Max r DS(on) = 35m ? at V GS = 10V, I D = 6.1A
Max r DS(on) = 42m ? at V GS = 4.5V, I D = 5.5A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
100% UIL Tested
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Application
Inverter Switch
Synchronous Rectifier
Load Switch
D
D
D
D
D
D
D
5
6
7
4
3
2
G
S
S
SO-8
S
G
D
8
1
S
S
Pin 1
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
I D
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Parameter
Ratings
60
±20
6.1
30
Units
V
V
A
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
73
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
(Note 1b)
5
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
25
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS5351
Device
FDS5351
Package
SO-8
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5351 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
| FDS5672 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
| FDS5680 | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| FDS5690 | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC |
| FDS6294 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS5670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH 60V |
| FDS5672 | 功能描述:MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5680 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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