- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS5351 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS5351 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS5351DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
30
3.0
20
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
V GS = 3V
V GS = 3.5V
V GS = 4V
2.0
10
V GS = 3.5V
1.5
V GS = 4.5V
V GS = 3V
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0
0
1
2
3
0.5
0
10
20
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
100
1.8
I D = 6.1A
V GS = 10V
80
I D = 6.1A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
60
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
30
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V DS = 5V
20
1
T J = 125 o C
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5351 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
| FDS5672 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
| FDS5680 | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| FDS5690 | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC |
| FDS6294 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS5670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH 60V |
| FDS5672 | 功能描述:MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5680 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。