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参数资料
| 型号： | FDS5351 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS5351DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 6.1A
4000
C iss
8
6
4
V DD = 20V
V DD = 30V
V DD = 40V
1000
100
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
4
8
12
16
20
10
0.1
1
10
100
R θ JA = 50 C/W
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
8
6
T J = 25 o C
4
T J = 125 o C
2
10
8
6
4
2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
V GS = 4.5V
o
1
0.01
0.1
1
10
30
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
10
100
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1ms
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10ms
100ms
10
SINGLE PULSE
0.1
T J = MAX RATED
1s
10
10
10
10
0.01
0.01
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1 1
10
10s
DC
100 300
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5351 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
| FDS5672 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
| FDS5680 | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| FDS5690 | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC |
| FDS6294 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS5670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH 60V |
| FDS5672 | 功能描述:MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS5680 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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