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参数资料
| 型号： | FDS5680 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1850pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS5680DKR |
Typical Characteristics
50
40
V GS =10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
2.4
2.1
1.8
V GS =4.0V
30
1.5
4.5
20
1.2
5.0V
6.0V
10
0
4.0
0.9
0.6
7.0V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = 8.0A
0.06
I D = 4.0A
V GS = 10V
T J = 125 C
25 C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
o
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
50
40
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V DS = 5V
100
10
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
V GS =0V
T J =125 C
T J = -55 C
25 C
30
o
1
o
o
25 C
-55 C
20
10
o
0.1
0.01
o
125 C
o
0
0.001
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS5680 Rev. C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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