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参数资料
| 型号： | FDS5680 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1850pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS5680DKR |
Typical Characteristics
10
I D =8.0A
(continued)
2500
8
6
V DS = 12V
48V
24V
2000
1500
C iss
4
2
1000
500
C oss
0
0
C rss
0
7
14
21
28
35
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R DS(ON) Limit
100 μ s
SINGLE PULSE
R θ JA =125 C/W
T =25 C
10
1
DC
1ms
10ms
100ms
1s
10s
40
30
20
o
o
0.1
10
0.01
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 125 ° C/W
P(pk)
0.02
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
0.002
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS5680 Rev. C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS5680 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR |
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| FDS5682_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm |
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