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参数资料
| 型号： | FDS6570A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6570ADKR |
Typical Characteristics
50
V GS = 4.5V
2.5V
2.5
40
3.0V
2.0V
2
30
20
1.5
V GS = 2.0V
2.5V
3.0V
10
1.5V
1
4.5V
0
0.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
I D = 15A
V GS = 4.5V
0.03
0.024
0.018
I D = 7.0A
1
T J = 125 C
25 C
0.8
0.6
0.012
0.006
o
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
T J = -55 C
125 C
25 C
T J =125 C
50
40
V DS = 5V
o
o
o
100
10
V GS = 0
o
25 C
125 C
30
20
10
1
0.1
0.01
o
o
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS6570A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS6575 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFETP SO-8 ((NW)) |
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