参数资料
型号: FDS6570A
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图: Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 毫欧 @ 15A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
产品目录页面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDS6570ADKR
Typical Characteristics
5
(continued)
7000
I D = 13A
6000
4
V DS = 5V
5000
C iss
3
15V
10V
4000
3000
2
2000
1
1000
0
C oss
C rss
0
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
R DS(ON) Limit
100 μ s
SINGLE PULSE
R θ JA =125 C/W
T A =25 C
10
1ms
10ms
40
o
o
100ms
1
DC
1s
10s
30
20
V GS = 4.5V
0.1
SINGLE
R θ JA = 125 C/W
PULSE
o
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 125 ° C/W
P(pk)
0.02
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
0.002
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS6570A Rev. C
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