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参数资料
| 型号： | FDS6574A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 16A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7657pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6547ADKR |
Typical Characteristics
100
80
60
V GS = 4.5V
3.5V
1.8V
2.5V
1.5V
2
1.8
1.6
V GS = 1.5V
1.4
40
1.8V
20
1.2
1
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DIRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
I D = 16A
V GS = 4.5V
0.012
0.01
0.008
I D = 8A
T A = 125 o C
1
0.006
0.8
0.6
0.004
0.002
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
90
75
60
V DS = 5V
T A = -55 o C
125 o C
25 o C
100
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
45
30
15
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 o C
-55 o C
0.5
0.8
1.1
1.4
1.7
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6574A Rev B2(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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