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参数资料
| 型号： | FDS6612A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6612ADKR |
Typical Characteristics
40
V GS = 10V
4.5V
2
V GS = 3.5V
4.0V
1.8
30
6.0V
1.6
20
3.5V
1.4
4.0V
4.5V
10
3 .0 V
1.2
1
5.0V
6.0V
10V
0
0.8
0
0.5
1 1.5 2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
3
0
10
20
I D , DRAIN CURRENT (A)
30
40
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 8.4A
V GS = 10V
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
T A = 25 o C
T A = 125 o C
I D = 4.2A
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
125
150
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
40
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
30
V DS = 5V
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
20
10
T A = 125 o C
-55 o C
0.1
0.01
25 o C
-55 o C
0.001
25 o C
0
1.5
2
2.5 3 3.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6612A Rev D1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH :ROHS COMPLIANT |
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| FDS6612A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6614A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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