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参数资料
| 型号： | FDS6612A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6612ADKR |
PSPICE Electrical Model N-Channel
.SUBCKT FDS6612A 2 1 3
*NOM TEMP=25 DEG C
*REV A - JULY 2003
9
20
19
ESLC
CA 12 8 1E-9
CB 15 14 4.0E-10
CIN 6 8 5.1E-10
DBODY 7 5 DBODYMOD
DBREAK 5 11 DBREAKMOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 34.2
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTHRES 6 21 19 8 1
EVTEMP 20 6 18 22 1
IT 8 17 1
LGATE 1 9 3.84E-9
LDRAIN 2 5 1.00E-9
LSOURCE 3 7 4E-9
RLGATE 1 9 38.4
RLDRAIN 2 5 10
RLSOURCE 3 7 40
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
DPLCAP
10
RSLC2
EVTHRES
+ -
8
6
CIN
5
RSLC1
51
5
51
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
RSOURCE
7
LDRAIN
RLDRAIN
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
DRAIN
2
SOURC E
3
13
MMED 16 6 8 8 MMEDMOD
MSTRO 16 6 8 8 MSTROMOD
MWEAK 16 21 8 8 MWEAKMOD
S1A
12
S1 B
8
14
13
S2A
S2B
15
17
RBREAK
18
RVTEMP
RBREAK 17 18 RBREAKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDRAINMOD 8E-3
RGATE 9 20 4.2
CA
13
EGS
+
6
8
CB
+
EDS
5
8
14
IT
19
-
VBAT
+
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1E-6
RSLC2 5 50 1E3
RSOURCE 8 7 RSOURCEMOD 7.5E-3
RVTHRES 22 8 RVTHRESMOD 1
RVTEMP 18 19 RVTEMPMOD 1
-
-
8
RVTHRES
22
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1E-6*105),3))}
.MODEL DBODYMOD D (IS=7E-15 RS=6.1E-3 N=0.84 TRS1=1.7E-3 TRS2=1.0E-6
+ CJO=3.2E-10 TT=10E-9 M=0.5 IKF=0.3 XTI=3.0)
.MODEL DBREAKMOD D (RS=1E-1 TRS1=1.12E-3 TRS2=1.25E-6)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=14E-11 IS=1E-30 N=10 M=0.34)
.MODEL MWEAKMOD NMOS (VTO=1.82 KP=0.05 IS=1E-30 N=10 TOX=1 L=1U W=1U RG=42 RS=.1)
.MODEL MMEDMOD NMOS (VTO=2.1 KP=6 IS=1E-30 N=10 TOX=1 L=1U W=1U RG=4.2)
.MODEL MSTROMOD NMOS (VTO=2.55 KP=50 IS=1E-30 N=10 TOX=1 L=1U W=1U)
.MODEL RBREAKMOD RES (TC1=0.83E-3 TC2=1E-7)
.MODEL RDRAINMOD RES (TC1=6E-3 TC2=5E-6)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.5E-3 TC2=4.5E-6)
.MODEL RSOURCEMOD RES (TC1=1.0E-3 TC2=1E-6)
.MODEL RVTHRESMOD RES (TC1=-2.013E-3 TC2=-7E-6)
.MODEL RVTEMPMOD RES (TC1=-1.5E-3 TC2=1E-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1E-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-3)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1E-5 ROFF=0.1 VON=-3 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1E-5 ROFF=0.1 VON=-1.3 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1E-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-1.3)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
FDS6612A Rev D1 (W)
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PDF描述 |
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| FDS6670A | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH :ROHS COMPLIANT |
| FDS6612A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET |
| FDS6612A_D84Z | 功能描述:MOSFET Single N-Ch LL Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6612A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6614A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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