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参数资料
| 型号： | FDS6612A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 8.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6612ADKR |
Typical Characteristics
10
800
8
I D = 8.4A
V DS = 10V
20V
600
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
4
15V
400
C iss
2
0
200
0
C rss
C oss
0
2
4 6 8
Q g , GATE CHARGE (nC)
10
12
0
5
10 15 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
100 μ s
100
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
1
DC
10s
1s
10
25
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
125
T A = 25 C
0.01
0.01
o
0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
1
0.001
0.01
0.1 1
t AV , TIME IN AVALANCHE (mS)
10
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
50
40
30
20
10
0
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation.
FDS6612A Rev D1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6614A | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC |
| FDS6630A | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
| FDS6670AS | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC |
| FDS6670A | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6673BZ_F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH :ROHS COMPLIANT |
| FDS6612A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET |
| FDS6612A_D84Z | 功能描述:MOSFET Single N-Ch LL Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6612A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6614A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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