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参数资料
| 型号： | FDS6614A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
40
V GS = 10V
4.5V
2.6
30
6.0V
4.0V
3.5V
2.4
2.2
V GS = 3.0V
2
20
10
3.0V
1.8
1.6
1.4
3.5V
4.0V
4.5V
2.5V
1.2
5.0V
7.0V
10V
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
10
20
30
40
50
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.8
Figure 1. On-Region Characteristics
0.06
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = 9.3A
V GS = 10V
0.05
0.04
0.03
I D = 4.7 A
T A = 125 C
o
T A = 25 C
1
0.8
0.02
0.01
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
50
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage
25 C
40
V DS = 5V
T A = -55 o C
o
125 o C
10
V GS = 0V
T A = 125 o C
1
25 C
-55 C
30
20
10
0.1
0.01
0.001
o
o
0
1
2
3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
5
0.0001
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
FDS6614A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6630A | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
| FDS6670AS | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC |
| FDS6670A | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6673BZ_F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6673BZ | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6630A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6630A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS6644 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS66630A | 制造商:Fairchild 功能描述:30V, SINGLE, SO-8 |
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