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参数资料
| 型号： | FDS6614A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
(continued)
1600
8
I D = 9.3A
V DS = 5V
15V
10V
1400
1200
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
4
1000
800
600
400
2
200
C OSS
C RSS
0
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
T A = 25 C
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
1ms
100 μ s
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
o
1
10s
1s
100ms
30
DC
20
V GS = 10V
R θ JA = 125 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.0 05
0.2
0.1
0 .0 5
0 .0 2
0.0 1
S i n g le P ul s e
R θ J A (t) = r(t) * R θ J A
R θ J A = 125 ° C / W
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA ( t)
D u t y C y c l e, D = t 1 /t 2
0.0 02
0.0 01
0.0001
0.0 01
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TI M E (s e c )
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS6614A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6630A | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
| FDS6670AS | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC |
| FDS6670A | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6673BZ_F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6673BZ | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6630A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6630A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS6644 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS66630A | 制造商:Fairchild 功能描述:30V, SINGLE, SO-8 |
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