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参数资料
| 型号： | FDS6670A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6670ADKR |
Typical Characteristics
50
40
V GS = 10V
4.5V
3.5V
1.8
1.6
V GS = 3.5V
30
4.0V
1.4
20
3.0V
1.2
4.0V
4.5V
5.0V
10
0
1
0.8
10V
0
0.5
1
1.5
0
10
20
30
40
50
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 13A
V GS = 10V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.025
I D = 6.5A
1.4
0.02
1.2
0.015
1
0.8
0.01
T A = 25 o C
T A = 125 o C
0.6
0.005
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
50
V DS = 5V
40
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
30
1
T A = 125 o C
T A =125 o C
0.1
25 o C
20
25 o C
0.01
-55 o C
-55 o C
10
0
0.001
0.0001
2
2.25
2.5
2.75
3
3.25
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6670A Rev F (W)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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