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参数资料
| 型号： | FDS6675BZ |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6675BZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
4000
C iss
8
6
V DD = -10V
V DD = -15V
1000
C oss
4
2
V DD = -20V
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
10
20 30 40
50
100
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
1000
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
20
100
10
10
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
1E-3
T J = 25 o C
T J = 125 o C
10
10
10
10
10
1E-4
0
5
10
15 20
25
30
35
1
-2
-1
0
1
2
12
10
-V GS (V)
Figure 9. I g vs V GS
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
100
100 us
8
V GS = -10V
10
1 ms
T A = 25 C
6
4
2
V GS = -4.5V
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
o
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6675BZ Rev . B2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6675 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC |
| FDS6676AS | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| FDS6679AZ | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6679 | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
| FDS6680AS | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6675BZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS6676 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6676 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6676AS | 功能描述:MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6676AS_0511 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET |
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