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参数资料
| 型号： | FDS6679 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3939pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
50
40
V GS = -10V
-6.0V
-4.0V
-3.5V
3
2.6
V GS = -3.0V
-4.5V
30
-3.0V
2.2
1.8
-3.5V
20
1.4
-4.0V
-4.5V
-5.0V
10
-2.5V
1
-6.0V
-10V
0
0.6
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -13A
V GS = -10V
-I D , DIRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.04
I D = -7.0A
1.4
0.03
1.2
1
0.02
T A = 25 o C
T A = 125 o C
0.8
0.6
0.01
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
50
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5.0V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 o C
1
30
0.1
25 o C
20
T A = -125 o C
0.01
-55 o C
10
0
25 o C
-55 o C
0.001
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6679 Rev C1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6679 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6679_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30 Volt P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS6679AZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6679AZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC |
| FDS6679AZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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