- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS6679AZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6679AZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6679AZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
70
4.0
60
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = - 10V
3.5
3.0
V GS = - 3.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
30
20
V GS = - 5V
V GS = - 4.5V
V GS = - 4V
V GS = - 3.5V
2.5
2.0
1.5
V GS = - 4V
V GS = - 4.5V
10
0
0
V GS = - 3V
1 2 3
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
1.0
0.5
0
10
V GS = - 5V
V GS = - 10V
20 30 40 50
-I D , DRAIN CURRENT(A)
60
70
Figure 1. On Region Characteristics
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = -13A
V GS = -10V
30
20
I D = -13A PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
1.0
10
0.8
T J = 25 o C
0.6
-80
-40 0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
160
0
3.0
4.5 6.0 7.5 9.0
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
70
60
50
40
30
20
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
T J = 25 o C
100
10
1
0.1
0.01
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
2.0
T J = -55 o C
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6679AZ Rev. B2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6679 | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
| FDS6680AS | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC |
| FDS6680A | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
| FDS6681Z | MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 |
| FDS6682 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6679AZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC |
| FDS6679AZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS6679AZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:LINEAR IC |
| FDS6679Z | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6679Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。