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参数资料
| 型号： | FDS6679AZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6679AZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
10000
C iss
6
V DD = -10V
C oss
4
V DD = -15V
1000
C rss
V DD = -20V
2
f = 1MHz
V GS = 0V
0
0
15
30 45 60
75
100
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
1000
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
20
100
10
10
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
1E-3
T J = 25 o C
T J = 125 o C
10
10
10
10
10
1E-4
0
5
10
15 20
25
30
35
1
-2
-1
0
1
2
16
14
-V GS (V)
Figure 9. I g vs V GS
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
100
100 us
12
10
V GS = -10V
10
1 ms
8
6
4
2
0
25
V GS = -4.5V
50 75 100 125
150
1
0.1
0.01
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1 1
10
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
100 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6679AZ Rev. B2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6679 | MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS6679Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P |
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