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参数资料
| 型号： | FDS6690A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6690ADKR |
Typical Characteristics
50
V GS = 10V
4.0V
3
V GS = 3.0V
40
6.0V
4.5V
3.5.V
2.5
30
2
3.5V
20
1.5
4.0V
10
3.0V
1
4.5V
6.0V
10V
0
0.5
0
0.5 1 1.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
0
10
20 30
I D , DRAIN CURRENT (A)
40
50
1.8
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.05
1.6
I D = 11.0A
V GS = 10V
0.04
I D = 5.5A
1.4
0.03
T A = 125 C
T A = 25 C
1.2
1
0.8
0.02
0.01
o
o
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
150
175
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = 125 C
50
40
V DS = 5V
100
10
1
V GS = 0V
o
30
25 C
0.1
o
T A = 125 C
25 C
-55 C
20
o
o
0.01
o
-55 C
10
o
0.001
0
1
1.5
2 2.5 3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3.5
4
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6690A Rev E1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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