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参数资料
| 型号： | FDS6690AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 910pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6690ASDKR |
Typical Characteristics
50
2.2
V GS = 10V
4.0V
V GS = 4.0V
40
1.8
30
6.0V
4.5V
3.5V
3.0V
1.4
4.0V
20
1
4.5V
5.0V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0.6
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20 30
40
50
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
0.06
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.45
1.3
1.15
I D = 10A
V GS = 10V
0.05
0.04
0.03
I D = 5A
T A = 125 C
o
1
0.02
0.85
0.7
0.01
0
T A = 25 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
50
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V GS = 0V
40
1
30
0.1
T A = 125 o C
25 o C
T A = 125 C
-55 C
20
o
o
-55 o C
0.01
10
25 o C
0
0.001
1
1.5
2 2.5 3 3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6690AS Rev A 2 (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS6690AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6690AS-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6690AS Series N-Channel 30 V 19 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
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