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参数资料
| 型号： | FDS6690AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 910pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6690ASDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky Body Diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky
diode in parallel with PowerTrench MOSFET.
This diode exhibits similar characteristics to a
discrete external Schottky diode in parallel with a
MOSFET. Figure 12 shows the reverse recovery
characteristic of the FDS6690AS.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage
at high temperature and high reverse voltage.
This will increase the power in the device.
0.1
0.01
T A = 125 o C
0.001
T A = 100 o C
0.0001
0.00001
T A = 25 o C
0.000001
0
5
10 15 20
25
30
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage and
temperature.
10nS/DIV
Figure 12. FDS6690AS SyncFET body
diode reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 13 shows the
reverse recovery characteristics of the body diode
of an equivalent size MOSFET produced without
SyncFET (FDS6690A).
0V
10nS/DIV
Figure 13. Non-SyncFET (FDS6690A)
body diode reverse recovery
characteristic.
FDS6690AS Rev A 2 (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6690A | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| FDS6692A | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS6694 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| FDS6699S | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| FDS6875 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6690AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
| FDS6690AS_NBNU001 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6690AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6690AS-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS6690AS Series N-Channel 30 V 19 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8 |
| FDS6690S | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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