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参数资料
| 型号： | FDS6694 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1293pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
2000
I D = 12A
V DS = 5V
10V
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
6
4
2
0
15V
1600
1200
800
400
0
C RSS
C OSS
C ISS
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
100μs
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
40
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10s
DC
20
0.01
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) *R θ JA
R θ JA = 125 °C/W
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.02
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIM E ( s e c )
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6694 Rev.E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6699S | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| FDS6875 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC |
| FDS6890A | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
| FDS6892A | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6694 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6694_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6699S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6812 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6812A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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