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参数资料
| 型号： | FDS6930A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 460pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6930ADKR |
Typical Electrical Characteristics
30
V GS =10V 6.0V
5.0V
4
24
4.5V
3
V GS = 3.0V
4.0V
18
3.5 V
3.5V
2
4.0 V
12
4.5 V
5.5 V
6
3.0V
1
10V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
6
12
18
24
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
1.6
I D = 5.5A
0.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
I D = 2.5A
1.4
V GS = 10V
0.15
1.2
0.1
1
0.8
0.05
125°C
25°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
15
Figure 3. On-Resistance Variation
Temperature .
with
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
12
V DS =5.0V
T J = -55°C
125°C
25°C
1
V GS = 0V
T J = 125°C
9
6
3
0.1
0.01
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS6930A Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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