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参数资料
| 型号： | FDS6961A_F011 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics
10
I D = 3.5A
V DS = 5V
500
8
6
15V
10V
200
100
50
C iss
C oss
4
2
20
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
10
0
0
1
2
3
4
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
LIM
S(O
100
1m
1 0 m
100
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
30
10
5
2
1
0.5
0.1
0.05
IT
N)
RD
V GS =10V
SINGLE PULSE
A
1s
10s
DC
ms
s
s
us
30
25
20
15
10
5
SINGLE PULSE
R θ JA =135 °C/W
T A = 25°C
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
0
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area .
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.2
0.1
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =135° C/W
0.05
0.02
0.01
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
P(pk)
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6961A Rev.C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS6982 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
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