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参数资料
| 型号： | FDS7766S |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 17000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | FDS7766S |
FDS7766S Rev C (W)
Typical Characteristics
60
V
GS
= 10V
0
10
20
30
40
50
0
0.5
1
1.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
2.5V
4.5V
6.0V
3.0V
2.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
I
D
, DRAIN 30
40
50
60
R
D
,
D
V
GS
= 2.5V
6.0V
3.0V
3.5V
10V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 17A
V
GS
=10V
0
0.004
0.008
0.012
0.016
0.02
1
2
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
5
6
7
8
9
10
R
D
,
I
D
= 8.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
1
1.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
2.5
3
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.01
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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