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参数资料
| 型号： | FDS86240 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.8 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2570pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS86240DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
30
3.0
25
20
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
V GS = 5 V
2.5
2.0
V GS = 4.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5 V
15
10
V GS = 4.5 V
1.5
V GS = 5.5 V
5
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
0.5
V GS = 6 V
V GS = 10 V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
80
I D = 7.5 A
2.0 V GS = 10 V
1.8
1.6
1.4
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 7.5 A
1.2
1.0
0.8
0.6
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
30
25
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 o C
T J = 150 o C
15
T J = 25 o C
1
T J = 25 o C
10
0.1
5
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDS86240 Rev . C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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