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参数资料
| 型号： | FDS86240 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.8 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2570pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS86240DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 7.5 A
10000
8
6
V DD = 50 V
V DD = 100 V
1000
C iss
4
V DD = 75 V
100
C oss
2
0
10
1
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
T J = 25 o C
8
6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
10
V GS = 6 V
R θ JA = 50 C/W
T J = 125 o C
T J = 100 o C
4
2
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
50
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
1ms
10 ms
100 ms
100
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1s
10
10
10
0.01
0.005
0.01
0.1
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1
10
100
10 s
DC
1000
1
0.5
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDS86240 Rev . C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS86252 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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