- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS8690 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8690DKR |
January 2006
FDS8690
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 14A, 7.6m ?
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r DS(on) and fast switching speed.
Applications
Notebook CPU power supply
Features
Max r DS(on) = 7.6m ? , V GS = 10V, I D = 14A
Max r DS(on) = 1 1.4 m ? , V GS = 4.5V, I D = 11.5A
High performance trench technology for extremely low
r DS(on) and fast switching
Very low gate charge
High power and current handling capability
100% R G tested
Synchronous rectifier
RoHS Compliant
A
DF
REE I
Absolute Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise Noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 1a)
14
100
A
E AS
P D
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation for Single Operation
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
210
2.5
1.2
mJ
W
(Note 1c)
1.0
T J , T STG
Operating and Storage Temperature
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1a)
(Note 1)
50
25
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8690
Device
FDS8690
Reel Size
13”
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8690 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8813NZ | MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC |
| FDS8817NZ | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC |
| FDS8840NZ | MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC |
| FDS8842NZ | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
| FDS8858CZ | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8812NZ | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8812NZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD SO-8 |
| FDS8813NZ | 功能描述:MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8817NZ | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8817NZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。