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参数资料
| 型号： | FDS8842NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 14.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8842NZDKR |
February 2009
FDS8842NZ
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
40 V, 14.9 A, 7.0 m ?
Features
Max r DS(on) = 7.0 m ? at V GS = 10 V, I D = 14.9 A
Max r DS(on) = 11.6 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 11.6 A
HBM ESD protection level of 4.4 kV typical(note 3)
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
General Description
The FDS8842NZ has been designed to minimize losses in
power conversion application. Advancements in both silicon and
package technologies have been combined to offer the lowest
r DS(on) while maintaining excellent switching performance.
Applications
and fast switching
Synchronous Buck for Notebook Vcore and Server
High power and current handling capability
Termination is Lead-free and RoHS Compliant
D
Notebook Battery
Load Switch
D
D
D
D
D
G
S
SO-8
S
S
G
D
D
S
S
Pin 1
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
I D
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Parameter
Ratings
40
±20
14.9
93
Units
V
V
A
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 4)
253
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 1b)
2.5
1.0
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
25
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8842NZ
Device
FDS8842NZ
Package
SO8
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8842NZ Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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