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参数资料
| 型号： | FDS8842NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 14.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8842NZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
60
50
40
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
5
4
V GS = 3 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3.5 V
3
30
20
10
V GS = 4 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3 V
2
1
V GS = 4 V
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
20
1.6
1.4
I D = 14.9 A
V GS = 10 V
15
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 14.9 A
1.2
1.0
0.8
10
5
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
60
60
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
50
40
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
10
V GS = 0 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
10
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
T J = -55 o C
0
T J =
-55 o C
0.1
0
1
2
3
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8842NZ Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8858CZ | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| FDS8870 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC |
| FDS8876 | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC |
| FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8858CZ | 功能描述:MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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