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参数资料
| 型号： | FDS8842NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 14.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8842NZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
6
I D = 14.9 A
V DD = 15 V
V DD = 20 V
5000
1000
C iss
4
2
V DD = 25 V
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
100
0.1
1
10
40
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
-3
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 0 V
10
10
T J =
125 o C
T J = 25 o C
-5
T J = 125 o C
T J = 100 o C
10
-7
T J = 25 o C
10
1
0.001
0.01
0.1 1 10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
100
1000
-9
0
5
10
15
20
25
30
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
10
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
1 ms
2000
1000
Figure 10. Igss vs Vgs
V GS = 10 V
10 ms
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
1
THIS AREA IS
100 ms
T A = 25 o C
LIMITED BY r DS(on)
T A = 25 C
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
o
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100 200
0.5
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8842NZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8858CZ | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| FDS8870 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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