参数资料
型号: FDS8842NZ
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
产品目录绘图: Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 14.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3845pF @ 15V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
产品目录页面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDS8842NZDKR
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P DM
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 1
t 2
R θ JA = 125 C/W
0.001
o
PEAK T J = P DM x Z θ J A x R θ J A + T A
10
10
10
0.0005
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8842NZ Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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