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参数资料
| 型号： | FDS8690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8690DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
4000
1000
C iss
6
4
2
V DD = 10V
V DD = 20V
V DD = 15V
100
f = 1MHz
C rss
C oss
V GS = 0V
0
0
5 10 15
20
10
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteri stics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
40
200
100
10us
100us
10
T J
= 125 o C
T J = 25 o C
10
1
1ms
10ms
100ms
10
10
10
10
10
10
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T A = 25 o C
1
-2
-1
0
1
2
3
0.1
0.01
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
1 10
1s
DC
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
150 – T A
15
12
9
V GS = 10V
10000
1000
100
V GS = 10V
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25
------------------------
125
6
V GS = 4.5V
R θ JA = 50 C/W
3
o
10
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0
25
50 75 100 125
150
1
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
FDS8690 Rev. B
4
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8813NZ | MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC |
| FDS8817NZ | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC |
| FDS8840NZ | MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC |
| FDS8842NZ | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
| FDS8858CZ | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8812NZ | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8812NZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD SO-8 |
| FDS8813NZ | 功能描述:MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8817NZ | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8817NZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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