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参数资料
| 型号： | FDS8813NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 18.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4145pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8813NZDKR |
May 2013
FDS8813NZ
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 18.5A, 4.5m Ω
Features
Max r DS(on) = 4.5m Ω at V GS = 10V, I D = 18.5A
Max r DS(on) = 6.0m Ω at V GS = 4.5V, I D =16A
HBM ESD protection level of 5.6KV typical (note 3)
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
High power and current handling capability
RoHS compliant
D
D
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advanced PowerTrench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load
switching applications common in Notebook Computers and
Portable Battery Packs.
D
D
D
D
G
S
SO-8
S
S
G
D
D
S
S
Pin 1
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 1a)
18.5
74
A
E AS
P D
T J , T STG
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 4)
(Note 1a)
(Note 1b)
337
2.5
1.0
-55 to +150
mJ
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1)
25
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
50
125
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8813NZ
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
Device
FDS8813NZ
1
Reel Size
13”
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
www.fairchildsemi.com
FDS8813NZ Rev.C2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8817NZ | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC |
| FDS8840NZ | MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC |
| FDS8842NZ | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
| FDS8858CZ | MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 |
| FDS8870 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8817NZ | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8817NZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS884 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS8840NZ | 功能描述:MOSFET PT4 Nch with Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8842NZ | 功能描述:MOSFET 40V NCh PowerTrench w/MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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